本文目录

• 宜兴籍中国工程院院士有哪些人
• 褚君浩的主要成就
• 让新基建释放更多红利（新基建的创新密码（下））
• 徐汇中学有哪些名人
• 褚君浩的人物经历
• 宜兴有哪些名人

宜兴籍中国工程院院士有哪些人

中国科学院院士：
01,周培源 1955年。
02,潘 菽 1955年。
03,唐敖庆 1955年。
04,史绍熙 1980年。
05,朱洪元 1980年。
06,朱既明 1980年。
07,吴浩青 1980年。
08,章 综 1980年。
09,程镕时 1991年。
10,周 镜 1994年。
11,沙庆林 1995年。
14,程天民 1996年。
19,朱邦芬 2003年。
21,褚君浩 2005年。
22,吴岳良 2007年。
中国工程院院士：
12,薛鸣球 1995年。
13,高鼎三 1995年。
15,陈太一 1997年。
16,吴中如 1997年。
17,唐西生 1997年。
18,陈国良 1999年。
20,黄瑞松 2004年1月。
23,陈志南 2007年[四军大博士生导师、细胞工程研究中心、细胞生物学教研室主任、教授，国家“863“计划疫苗与抗体工程重大项目总体专家组组长。
24,任南琪，男，1959年3月出生，江苏宜兴人，于1994年12月至1998年10月国家地震局工程力学研究所博士后，现任哈尔滨工业大学副校长，城市水资源与水环境国家重点实验室主任，教授，博士生导师。
2009年12月当选为中国工程院院士
25、丁荣军 2011年工程院院士轨道交通牵引电传动和网络控制专家南车株洲电力机车研究所有限公司执行董事、总经理
26、朱蓓薇 2013年入选中国工程院院士

褚君浩的主要成就

褚君浩院士长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红探测器的窄禁半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽等关系式；被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合；建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型；发现了HgCdTe的基本光电跃迁特性，确定了材料器件的光电判别依据；开展了铁电薄膜材料物理和非冷红外探测器研究，研究成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像，为中国物理科学和研究作出了重大贡献。
主要研究固体物理、窄禁带半导体物理。系统研究了窄禁带半导体的基础物理，在光学性质、电学性质、能带结构、晶格振动、杂质缺陷、二维电子气研究方面取得系统的研究成果，HgCdTe基础物理部分研究成果具有国际领先水平。提出的禁带宽度公式被国际上称为CXT公式（褚、徐、汤）。 发表论文200余篇，研究结果被国内外广泛引用并被大篇幅写进美国、英国、荷兰、前苏联等出版的科学手册和专著中。被国际权威的Landolt-Bornstein科技数据集特邀为“含Hg化合物部分”修订负责人。
1褚君浩，窄禁带半导体物理学， 科学出版社，2005。
2Junhao Chu and Arden Sher,Physics and Properties of Narrow Gap Semiconductors，Springer，2007
3Junhao Chu and Arden Sher,Devices Physics of Narrow Gap Semiconductors， Springer，2007
4RBlachnik,JChu,RRGalazka,JGeurts,JGutowski,BHonerlage,DEHofm ann,JKossut,RLevy,PMichler,UNeukirch,DStrauch,TStory,AWaag,Landol t-Boernstein: Numrical Data and Functional Relationships in Science and Technology III/41B Semiconductors: II-VI and I-VII Compounds; Semimagnetic Compounds， Edited By U Rossler,Springer， 1999
5JChu,TDietl,WDobrowolski,JGutowski,BKMeyer,KSebald,TStory,T Voss， Landolt-Boernstein: Numrical Data and Functional Relationships in Science and Technology III/44B: New Data and Updates and Updates for II-VI Compounds，Springer， 2008：347
6Junhao Chu,Pulin Liu,Yong Chang Editors,Proceedings of Fourth International Conference on Thin Film Physics and Applications,SPIE Vol4086,World Scientific， 2000
7Junhao Chu,Zongsheng Lai,Lianwei Wang,Shaohui Xu Editors,Proceedings of Fifth International Conference on Thin Film Physics and Applications,SPIE Vol 5774,World Scientific， 2004
8Junhao Chu,Shiqiu Xu,and Dingyuau Tang,Energy Gap Versus Alloy Composition and Temperature in HgCdTe ApplPhysLett,1983,43(11)：1064
9Chu Junhao,Xu shiqiu,Tang Dingyuan,The Energy Band Gap of Ternary Semiconductor HgCdTe Kexe Tongbao,1983,8(6)：851
10Junhao Chu,Dingrong Qian,and Dingyuan Tang,Burstein Moss Effect in HgCdTe Physics Scripta,VolT14,1986,37
11Junhao Chu,RSizmann,RWollrab,FKoch,JZiegle,HMaier,The Study of Capacitance Spectroscopy of Resonant Defect States in HgCdTe,JInfrared & MillimWaves,1989,8(5)：395
12Chu Junhao,Mi Zhengyu,Study on Two Dimensional Electron Gas for P-HgCdTe MIS Heterostructures,JInfrared ,MillimWaves,1989,8(6)：54~63
13Junhao Chu,RSizmann,FKoch,Dispersion Relation and Landau Levels of Inversion Layer Subband on P-HgCdTe,Science in China,1990,A 33(10)：1192
14Junhao Chu,Zhengyu Mi,Subband Structure Models of N-inversion Layer in Narrow Gap Semiconductors,JInfrared & MillimWaves,1990,9(3)：209
15Junhao Chu,SCShen,RSizmann,FKoch,JZiegler,HMaier,Su